CDF投讯 | 创东方完成对碳化硅赛道领跑者派恩杰的天使轮投资

派恩杰创始人黄兴博士就本轮融资接受集微网采访时表示，本轮资金将用于碳化硅功率器件研发、人才团队建设、市场推广和产品备货。“本轮融资无疑是给我们资金上的有力支持，能够加快我们产品的步伐，同时也帮助我们扩充人力、快速布局市场。”黄兴说。

派恩杰半导体创始人黄兴

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体被视作下一个重要的产业赛道。相比第一、第二代半导体，第三代半导体具有宽禁带、高耐压、低阻抗等诸多优势，特别适用于高功率和高频高压场景，其中设计和制造工艺相对更成熟的碳化硅，目前已在新能源汽车、充电桩、光伏、风电、工控等众多领域得到越来越广泛的应用。

黄兴表示，新能源汽车市场的应用将是未来碳化硅的主要增长驱动力，目前也已经有车企在和他们谈合作，接下去公司将进一步专注车规级碳化硅产品的研发量产。而从产业及技术链条层面来看，接下去的两年也有望进入从IGBT向碳化硅的转换期，“大家渐渐地发现，碳化硅对于整个车的效率，甚至是静音方面是有很大的作用的。比如使用IGBT，它电极的噪音还是比较明显的，而碳化硅就几乎听不到噪音。”黄兴解释，他预期，今年国内就会有碳化硅的样车出现，从明年开始会有一个逐步地从IGBT转向碳化硅的过程。

公开资料显示，派恩杰半导体成立于2018年9月，致力于碳化硅和氮化镓功率器件的设计研发与产品销售，以实现国有品牌替代。公司创始核心团队均来自行业知名公司，具备10年以上半导体行业研发、生产、管理和销售经验。

值得一提的是，公司成立6个月时即完成第一款可兼容驱动650V氮化镓HEMT产品；同年发布Gen3技术的1200V碳化硅MOS产品，HDFM技术指标国内领先；2020年公司推出低VF高浪涌650V碳化硅SBD产品，实现技术再次迭代。

目前公司的产品有碳化硅SBD，碳化硅MOS，氮化镓HEMT等三大系列，涵盖650V-3300V的电压平台、50余款不同型号的碳化硅和氮化镓功率器件，广泛应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等场景和领域。

创东方投资观点

长期专注硬科技领域创投的创东方投资看好第三代半导体的未来发展前景。创东方投资团队称，预期到2024年，第三代半导体的渗透率将从当前的约1%快速提升至5%以上。而派恩杰半导体正是创东方投资团队在第三代半导体这一关键赛道中精选的具备技术领先性、产品落地性、市场广阔性和增长确定性的领跑者。

创东方投资团队认为，派恩杰半导体是目前国内唯一自研并向市场广泛推广碳化硅SBD+MOS系列产品线的供应商，主打的碳化硅MOS产品平均比国内同行领先两代以上（3-5年），关键性能参数达到全球一流水准。同时，公司的销售团队为来自Cree和Rohm的高级别资深销售，使得公司可以更广泛和精准地触达客户需求。

“半导体行业是不怕‘论持久战’的。事实上是，真正拥有从技术到产品到市场整合优势等各方面综合能力的团队并不多，而各类资源方，不论是产业资本以及投资机构等，在市场上反而是充裕的。”创东方投资合伙人谢玉娟对集微网指出，从投资方的角度，更注重的在于选靠谱的团队和项目，并且希望陪着团队慢慢成长。

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